Este artículo propone un modelo de circuito para un diodo emisor de luz (LED) de pozo cuántico único InGaN/GaN basado en las ecuaciones estándar de velocidad. El modelo describe mediante dos ecuaciones de velocidad el transporte de portadores en la unión heteroestructurada aislante y el pozo cuántico, mientras que una tercera ecuación de velocidad describe las características dinámicas de los fotones en el pozo cuántico. Utilizando el modelo construido, investigamos sistemáticamente el efecto del grosor del pozo cuántico sobre las características estáticas y dinámicas del dispositivo. Los resultados de la simulación muestran que el LED con un ancho de pozo cuántico de 4 nanómetros exhibe mejores características de potencia óptica-corriente, mientras que el LED con un ancho de pozo cuántico de 3 nanómetros tiene un ancho de banda de modulación 3 dB más amplio, lo que también revela que una alta densidad de portadores en el pozo cuántico, aunque desfavorable para el rendimiento estático, puede mejorar efectivamente el rendimiento dinámico.

Pozo cuántico único; ecuaciones de velocidad; modelo de circuito; características potencia óptica-corriente; ancho de banda de modulación