Los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QLED) representan una dirección importante en el desarrollo de tecnologías de visualización de nueva generación, utilizando generalmente óxido de zinc (ZnO) como capa de transporte electrónico (ETL). Sin embargo, la alta movilidad electrónica de ZnO conduce a un desequilibrio en la inyección de portadores en la capa emisora (EML), y defectos como las vacantes superficiales de oxígeno provocan recombinación no radiante. Este estudio introduce de manera innovadora el nitruro de boro hexagonal (h-BN), un material bidimensional típico, para construir una capa de barrera electrónica en la interfaz entre EML y ZnO. Los resultados experimentales muestran que la incorporación de h-BN mejora efectivamente el equilibrio de portadores dentro del dispositivo y suprime notablemente el apagamiento de emisión causado por los defectos de ZnO. Tras la modificación de la interfaz con h-BN, la eficiencia cuántica externa (EQE) y la eficiencia de corriente (CE) de los dispositivos QLED alcanzan el 17,31 % y 18,80 cd/A, respectivamente, logrando mejoras del 12,4 % y 7,43 % en comparación con los dispositivos de referencia. Este estudio no solo revela el valor innovador de la aplicación de materiales bidimensionales en dispositivos QLED, sino que también proporciona nuevas ideas de investigación para su desarrollo en profundidad en el campo de las tecnologías de visualización.

QLED; nitruro de boro hexagonal; capa de barrera electrónica; equilibrio de inyección de portadores; modificación de interfaz