Se fabricaron diodos orgánicos emisores de luz utilizando una capa dopada tipo p de poli(3,4-etilendioxitiofeno): poli(estireno sulfónico) (PEDOT:PSS) como capa de inyección de huecos, y se examinó el efecto de la corriente de fuga (electrones) sobre PEDOT:PSS y el rendimiento del dispositivo. Se encontró que los electrones inyectados pueden ingresar a través de caminos de derivación formados por la difusión en el dispositivo desde el cátodo al PEDOT:PSS, reduciendo los cationes PEDOT+ a moléculas neutras de PEDOT, lo que disminuye la conductividad de PEDOT:PSS y provoca saturación o incluso disminución en la densidad de corriente y luminancia a altos voltajes de operación. El aumento del grosor de la capa emisora o de la capa bloqueadora de electrones con superficie más lisa, así como el uso de una capa de transporte electrónico dopada tipo n, ayudan a suprimir la difusión de átomos del cátodo, reducir la formación de caminos de derivación, disminuir la corriente de fuga, aumentar el ancho de la zona de generación de excitones y mejorar la estabilidad del rendimiento del dispositivo. Este estudio proporciona perspectivas prácticas para el desarrollo de diodos emisores orgánicos tipo p-i-n hacia aplicaciones de alta luminancia como láseres orgánicos bombeados eléctricamente y micropantallas.

diodo orgánico emisor de luz; fuga electrónica; reducción de conductividad; capa de transporte de huecos dopada tipo p; rendimiento del dispositivo; estabilidad