Los puntos cuánticos CsPbBr₃ (QDs) muestran un gran potencial en el campo de los QLEDs debido a su alta eficiencia cuántica de fotoluminiscencia y características de emisión de banda estrecha. La superficie de los QDs CsPbBr₃ presenta muchas vacantes de bromo (V_Br) y Pb²⁺ no coordinados, que introducen estados trampa en la banda de energía, fomentando la recombinación no radiativa de portadores y reduciendo la eficiencia del dispositivo. Este artículo utiliza una estrategia de pasivación conjunta con DDAB y DOTA, que mediante una acción sinérgica rellena eficazmente las vacantes superficiales V_Br y se coordina con los Pb²⁺ expuestos, reduciendo defectos superficiales y mejorando el rendimiento de la emisión de los puntos cuánticos. Mediante análisis de TEM, XRD y FT-IR, se encontró que el rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de los puntos cuánticos tratados con esta estrategia de pasivación aumentó hasta el 99.65 %, con mejor resistencia al calor y capacidad de formación de película. Los dispositivos QLED preparados alcanzaron un brillo máximo de 8 000 cd·m^-2 y una eficiencia cuántica externa máxima (EQE) de 5.29 %, 1.48 veces la de los dispositivos QLED con puntos cuánticos no pasivados.

perovskita; puntos cuánticos; pasivación conjunta; defectos superficiales