Se propone un láser de cavidad externa en forma de guía con cavidad de nanohaz de cristal fotónico unidimensional. Al acoplar un amplificador óptico semiconductor reflectante con la cavidad de nanohaz basada en silicio, se logra un láser integrado híbrido. La cavidad de nanohaz posee un alto factor de calidad, pequeño volumen modal y dimensiones compactas, siendo un dispositivo pasivo clave para construir láseres de cavidad externa semiconductor con línea estrecha y ajustable. Establecimos un modelo de simulación integral para el láser de cavidad externa de guía con cavidad de nanohaz, optimizamos el convertidor de modo para lograr un acoplamiento eficiente entre el amplificador óptico reflectante y la guía de onda lineal monomodo basada en silicio, y discutimos adicionalmente el impacto de la pérdida por inserción del convertidor de modo y la reflectividad de la cavidad externa en el rendimiento de la excitación del láser de cavidad externa. Encontramos que cambiar el índice de refracción del entorno de la cavidad de nanohaz puede lograr un ajuste eficiente de la longitud de onda del láser, con un valor simulado de eficiencia de ajuste de 120 nm/RIU. El tamaño de la cavidad de nanohaz del láser de cavidad externa diseñado es solo de 0,7 μm × 20 μm, y el valor simulado del ancho de línea es de 30 kHz.

láser semiconductor de cavidad externa;nanohaz;fotónica basada en silicio;integración híbrida