Este trabajo ofrece un resumen de los principios básicos, características, desarrollo y aplicaciones de diferentes tipos de láseres de microcavidad de semiconductores. El láser de retroalimentación distribuida (DFB) confía en su rejilla de Bragg para lograr una salida estable de un solo modo, adecuado para aplicaciones en comunicaciones ópticas de alta velocidad y alta capacidad, en dispositivos fotónicos integrados de silicio y otros; el láser de modo de resonancia (WGM) confía en una alta calidad de factor y en una característica de umbral bajo, adecuado para aplicaciones en óptica no lineal y en sensores de alta sensibilidad; el láser de emisión vertical (VCSELs) presenta buenas características de bajo consumo de energía y modulación rápida, adecuado para aplicaciones en transmisiones de corta distancia, reconocimiento facial, radar óptico y en otras áreas de electrónica de consumo; el láser de escondite de energía de la zona activa (LEAP) busca mejorar la eficiencia en el uso de energía y el nivel de integración para acelerar la innovación de sistemas fotónicos; el láser de cristal fotónico (PCSELs) con su estructura cristalina bidimensional logra una salida de alta potencia, un ángulo de divergencia bajo y una alta calidad de haz, clasificándose como una nueva generación de fuente láser de alto rendimiento. El trabajo ha analizado el rendimiento de estos láseres y sus aplicaciones, recopilando sus respectivas características técnicas, y discutiendo las tendencias futuras.

láseres de microcavidad; láser de retroalimentación distribuida; láser de modo de resonancia; láser de emisión vertical; láser de cristal fotónico