La baja eficiencia de extracción de luz de los Micro-LED rojos basados en AlGaInP limita la intensidad luminosa del dispositivo. Este artículo propone una técnica de máscara metálica de níquel nanoensamblada y una técnica de grabado húmedo para obtener una textura superficial de GaP de alta densidad y alta uniformidad. La textura superficial aumenta el ángulo crítico y reduce el efecto de reflexión total interna, mejorando así eficazmente la eficiencia de extracción de luz del dispositivo. Se obtuvieron diferentes morfologías de textura superficial utilizando máscaras de níquel de diferentes espesores. Los resultados muestran que a una densidad de corriente de 20 A/cm², la intensidad luminosa y la eficiencia cuántica externa del Micro-LED grabado con máscara metálica de níquel de 1 nm de espesor mediante grabado húmedo aumentaron en 21.04% y 23.58%, respectivamente, en comparación con el Micro-LED sin textura superficial. Se propuso un método que utiliza grabado seco ICP combinado con grabado húmedo para preparar una textura superficial cilíndrica en forma de panal. Después del grabado ICP de la capa de GaP y la corrosión húmeda durante diferentes tiempos, a una densidad de corriente de 20 A/cm², la intensidad luminosa y la eficiencia cuántica externa del Micro-LED tratado con grabado ICP y grabado húmedo (10 s * 3 veces) aumentaron en 81.61% y 48.40%, respectivamente, en comparación con el Micro-LED sin textura superficial.

AlGaInP;invertido;eficiencia de extracción de luz;Micro-LED;textura superficial