El óxido de galio tiene ventajas como baja absorción de rayos X, alto campo eléctrico, baja corriente oscura y alta estabilidad físico-química, y es uno de los materiales importantes para la conversión directa de rayos X. Este artículo resume en detalle las características de detección de rayos X del óxido de galio y presenta los avances en la investigación de dispositivos. Actualmente, se han preparado detectores de rayos X a partir de materiales como el óxido de galio amorfo, el óxido de galio policristalino (incluidos microcristales y nanocristales), las películas epitaxiales de óxido de galio orientadas cristalográficamente, el bloque cristalino moncristalino de óxido de galio y las microrrayas de óxido de galio. Se exponen sus rendimientos de detección, las estructuras utilizadas tales como metal-semiconductor-metal (MSM), la estructura Schottky, la estructura heterounión y la estructura de vacío, así como múltiples mecanismos de conversión fotoeléctrica, como la fotoconductividad, la multiplicación de portadores y la aplicación del efecto de fotoconductividad, incluido el posible efecto de avalancha de electrones. En el ámbito de aplicación de los dispositivos, se muestra el uso de detectores de rayos X de óxido de galio en dosímetros de radiación, imágenes de rayos X y sensores portátiles de rayos X. Con base en los avances mencionados, los autores del artículo intentan considerar las direcciones futuras de la investigación de detectores de rayos X de óxido de galio.