Los iones de tierras raras poseen niveles ricos de emisión luminosa, y al incorporarlos como centros emisores en materiales ferroeléctricos, se puede utilizar la polarización ferroeléctrica para lograr un control dinámico de la longitud de onda y la intensidad de emisión de los iones de tierras raras, lo que mejorará considerablemente el rendimiento de los dispositivos optoelectrónicos semiconductores. El AlScN, con su fuerte polarización residual, amplia banda prohibida y alta compatibilidad con procesos CMOS, ofrece nuevas oportunidades para la construcción de nuevos dispositivos emisores multifuncionales con regulación ferroeléctrica. Este trabajo estudia el efecto del dopaje con Er³⁺ en la emisión y las propiedades ferroeléctricas de películas de AlScN. El aumento de la concentración del dopante incrementa el número de centros emisores; en el rango de concentración de 3.6 % a 9.4 %, se observa un aumento en la intensidad del pico de emisión de Er³⁺, pero concentraciones superiores al 10 % provocan un efecto de apagamiento que reduce la emisión. El dopaje con Er³⁺ provoca una ligera degradación del rendimiento del AlScN, pero a una concentración del 9.4 % se mantiene una polarización residual superior a 80 μC/cm², mostrando la coexistencia de emisión luminosa y fuerte ferrolectricidad, lo que sienta las bases para el diseño de nuevos dispositivos emisores multifuncionales y altamente integrados utilizando este material ferroeléctrico.

AlScN;Er³⁺;fotoluminiscencia;ferroelectricidad fuerte