Actualmente, los diodos emisores de luz de puntos cuánticos de alta resolución (Quantum dot light-emitting diode, QLED) fabricados mediante diversas tecnologías de patrón de puntos cuánticos generalmente enfrentan problemas de baja eficiencia, debido a la presencia de una gran fuga de corriente entre píxeles. Para resolver este problema, utilizamos la tecnología de nanoimpresión para fabricar una película delgada de polimetilmetacrilato (PMMA) en forma de estructura de panal, que aplicamos como capa de bloqueo de carga en la capa emisora de luz QLED, logrando con éxito un dispositivo QLED rojo con una resolución de 8467 píxeles por pulgada (PPI). Debido a las buenas propiedades aislantes del PMMA, la capa de bloqueo de carga logró aislar con éxito el contacto directo entre la capa de transporte de electrones y la capa de transporte de huecos, lo que redujo significativamente la fuga de corriente del dispositivo en comparación con un dispositivo sin capa de bloqueo de patrón, lo que resultó en un aumento significativo en la eficiencia cuántica externa (EQE), con un EQE máximo del 15.31% y una luminosidad máxima de 100274 cd/m².

QLED; nanoimpresión; alta resolución; capa de bloqueo de carga