Actualmente, los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (Quantum dot light-emitting diode, QLED) de alta resolución preparados mediante varias técnicas de patrones de puntos cuánticos enfrentan comúnmente el problema de baja eficiencia, principalmente debido a una gran corriente de fuga entre los píxeles. Para resolver este problema, en este artículo se utilizó la tecnología de nanoimpresión para preparar una película de polimetilmetacrilato (Poly(methyl methacrylate), PMMA) en forma de panal, la cual se aplicó como capa bloqueadora de carga en la capa emisora del QLED, logrando con éxito un dispositivo QLED rojo con una resolución de 8467 píxeles por pulgada (Pixel per inch, PPI). Debido a las buenas propiedades aislantes del PMMA, la capa bloqueadora de carga logró aislar el contacto directo entre la capa de transporte de electrones y la capa de transporte de huecos, reduciendo considerablemente la corriente de fuga en comparación con dispositivos sin capa bloqueadora, lo que mejoró significativamente la eficiencia cuántica externa (External quantum efficiency, EQE) del dispositivo preparado, alcanzando un EQE máximo del 15.31% y un brillo máximo de 100274 cd/m².

Diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QLED); nanoimpresión; alta resolución; capa bloqueadora de carga