El rendimiento del fotodetector incluye varios parámetros como la eficiencia de absorción de luz, sensibilidad y precisión, que involucran varios efectos de conversión fotoeléctrica como el efecto fotovoltaico, efecto fotoconductor, efecto piroeléctrico, efecto foto-térmico y efecto de puerta fotoeléctrica. El efecto de puerta fotoeléctrica se refiere a que después de la irradiación, algunos portadores generados por luz en el material fotosensible son atrapados por trampas y entran en estados de trampa, lo que afecta las características de transporte de portadores en el canal conductor del fotodetector. Este artículo revisa el efecto de puerta fotoeléctrica y su aplicación en la mejora del rendimiento del fotodetector. Primero, se introducen los principios básicos del efecto de puerta fotoeléctrica y luego se examina su influencia en el rendimiento del fotodetector, incluyendo ganancia y ancho de banda, responsividad y tiempo de respuesta, así como curvas características de transferencia. El efecto de puerta fotoeléctrica en fotodetectores mejora principalmente la sensibilidad, rango dinámico y relación señal-ruido para señales débiles controlando la salida de la señal eléctrica a partir de la señal de luz. En particular, este artículo se centra en la aplicación del efecto de puerta fotoeléctrica en fotodetectores de baja dimensionalidad, incluyendo nanohilos, grafeno y otros materiales bidimensionales. Finalmente, se discute el papel importante del efecto de puerta fotoeléctrica en mejorar los fotodetectores de perovskita y se anticipan direcciones futuras de investigación.

efecto de puerta fotoeléctrica;ganancia;responsividad;materiales de baja dimensión;perovskita