La recolección de electrones en las células solares de perovskita (PSCs) es uno de los factores clave que influyen en el rendimiento de los dispositivos. La preparación de dióxido de estaño (SnO₂) mediante deposición química es uno de los materiales comunes de la capa de transporte de electrones en PSCs, pero su superficie suele tener una gran cantidad de defectos en forma de vacantes de oxígeno, lo que provoca pérdidas de recombinación no radiativas en la interfaz SnO₂/perovskita. En este artículo, utilizamos una inhibición de doble molécula con cloruro de estaño (SnCl₄) y cromato de amonio ((NH₄)₂CrO₄) para inhibir eficazmente los niveles de recombinación no radiativa en la interfaz perovskita/PSCs. Tras la hidrólisis de SnCl₄, se forman pequeñas partículas de SnO₂ sobre la película delgada de SnO₂, lo que forma una estructura de superficie lisa; el ((NH₄)₂CrO₄) como oxidante forma una capa ultrafina de semiconductor de tipo p Cr₂O₃, formando una unión p-n con SnO₂, compensando las vacantes de oxígeno excedentes en la superficie de SnO₂2, reduciendo la densidad de defectos.

Células solares de perovskita; dióxido de estaño; defectos; inhibición de doble molécula