Las características de recolección electrónica de las celdas solares de perovskita (PSCs) son uno de los factores clave que afectan el rendimiento del dispositivo. El dióxido de estaño (SnO₂) preparado mediante deposición química en baño es un material común para la capa de transporte electrónico en PSCs, pero su superficie suele tener muchas vacantes de oxígeno, causando pérdidas por recombinación no radiativa en la interfaz enterrada de SnO₂/perovskita. En este estudio se utilizó una pasivación bimolecular con tetracloruro de estaño (SnCl₄) y cromato de amonio ((NH₄)₂CrO₄) en la interfaz enterrada de PSCs, logrando fabricar un dispositivo con una eficiencia de conversión fotovoltaica del 23,71%. Tras la hidrólisis de SnCl₄, se forman partículas pequeñas de SnO₂ en la película de SnO₂, creando una superficie lisa; (NH₄)₂CrO₄, como agente oxidante, genera una capa ultrafina de semiconductor tipo p Cr₂O₃, formando una unión p-n con SnO₂, compensando las vacantes de oxígeno en exceso en la superficie de SnO₂, reduciendo la recombinación no radiativa en la interfaz enterrada y mejorando la eficiencia de extracción de carga. Además, el tamaño de los cristales de la película de perovskita fabricada sobre SnO₂ pasivado bimolecularmente aumentó y la densidad de defectos disminuyó.

celdas solares de perovskita; dióxido de estaño; defectos; pasivación bimolecular