Los experimentos de física de altas energías de próxima generación y la tomografía por emisión de positrones con tiempo de vuelo exigen tiempos de decaimiento más rápidos para los centelleadores, para satisfacer la necesidad de una detección de radiación más precisa, requiriendo centelleadores con tiempos de decaimiento ultrarrápidos en el rango de nanosegundos (ns) e incluso picosegundos (ps). Los cristales Cs₂ZnCl₄ tienen ventajas como decaimiento rápido, ausencia de componentes lentas en la emisión, bajo punto de fusión, resistencia a la humedad y un buen ajuste del espectro de emisión con el fotomultiplicador, y en los últimos años han recibido cada vez más atención como centelleadores ultrarrápidos de emisión cruzada. Este artículo revisa de manera bastante completa la historia y los avances en la investigación de cristales Cs₂ZnCl₄ en cuanto al mecanismo de emisión, características fisicoquímicas, crecimiento de cristales y propiedades de centelleo, enfocándose en las propiedades ópticas y de centelleo, y resume y contempla el potencial de aplicación de cristales Cs₂ZnCl₄ como centelleadores ultrarrápidos únicos.

Cs₂ZnCl₄;centelleadores ultrarrápidos;emisión banda de valencia a banda de conducción;crecimiento de cristales;propiedades de centelleo