Debido a sus ventajas como una estructura simple, una alta densidad de integración y un bajo consumo de energía, la memoria resistiva tiene buenas perspectivas de aplicación en áreas como el procesamiento eficiente de la información, la simulación de la función sináptica, etc. Los materiales de óxido de zinc tienen ventajas como un proceso de preparación simple, una excelente estabilidad del excitón a temperatura ambiente y una buena compatibilidad biológica, y son uno de los materiales ideales para el desarrollo de dispositivos resistivos de alto rendimiento. En este artículo se revisan los recientes avances en los dispositivos resistivos basados en óxido de zinc, incluidas las características de variación de la resistencia y el funcionamiento de los dispositivos, la simulación de la función sináptica, las funciones morfológicas neuronales relacionadas y la aplicación. En primer lugar, se introducen las características de variación de la resistencia de los dispositivos resistivos basados en óxido de zinc y su funcionamiento, incluida la variación de la resistencia bajo señales eléctricas y ópticas; sobre esta base, se presentan la simulación de la función de plasticidad sináptica y la imitación de avanzadas leyes de aprendizaje; a continuación, se presenta la aplicación de los dispositivos resistivos en el cálculo neuromórfico, incluidas las operaciones lógicas, el reconocimiento de patrones y la función integrada de almacenamiento de múltiples patrones de imágenes; por último, se resumen los desafíos y perspectivas actuales de los dispositivos resistivos basados en óxido de zinc, y se formula una perspectiva de evolución futura.

Óxido de zinc; Memoria resistiva; Resistividad óptica y fotónica; Sinapsis artificial