El óxido de zinc y magnesio (ZnMgO) es una aleación ternaria compuesta por materiales semiconductores de banda prohibida ancha, óxido de zinc (ZnO) y óxido de magnesio (MgO). Como semiconductor de banda prohibida directa y amplia, su ancho de banda prohibida puede ajustarse teóricamente de forma continua entre 3.37 eV para ZnO y 7.8 eV para MgO. Además, posee una rica nanostructura, baja temperatura de fabricación, alta resistencia a la radiación y gran estabilidad, siendo un material excelente para detectores ultravioletas. Más interesante aún, además de las ventajas mencionadas, ZnMgO presenta diversas propiedades físicas como piezoelectricidad, piroelectricidad y ferroelectricidad, que aportan nuevas posibilidades para expandir sus aplicaciones en detectores UV, convirtiéndose en un tema de investigación destacado en años recientes. Por ello, este artículo revisa integralmente las numerosas propiedades del ZnMgO, enfocándose en el diseño estructural, regulación del rendimiento y desarrollo de aplicaciones en dispositivos detectores UV, mediante la ingeniería de bandas, polarización ferro/pirro/piezoeléctrica y estructuras de baja dimensión.

óxido de zinc y magnesio;detector UV;ingeniería de bandas;espinela ferroeléctrica;dispositivos flexibles