Basado en materiales de nitruro del grupo III, la pantalla Micro LED necesita un LED rojo InGaN de alto rendimiento. Este trabajo utiliza ingeniería de polarización para construir un InGaN gradual como la última barrera cuántica (LQB) en el LED rojo InGaN. La simulación numérica muestra que el campo eléctrico de polarización opuesta en el LED a base de nitruro puede mejorar efectivamente la capacidad de confinamiento cuántico de los portadores y reducir el voltaje de encendido del dispositivo. Lo importante es que en el LED a base de nitruro, la capa LQB gradual en composición InGaN y la interfaz con p-GaN formarán simultáneamente pozos de potencial de electrones y huecos, lo que permitirá una eficiente radiación de luz para el LED rojo InGaN, mejorando así su rendimiento lumínico. Este trabajo proporciona nuevas ideas para el diseño de estructuras de LED rojo InGaN y la fabricación de dispositivos eficientes.

InGaN; ingeniería de polarización; LED rojo