ZnO es un material semiconductor típico de tercera generación, con un ancho de banda prohibida de 3.37 eV. El ZnO intrínseco es un semiconductor tipo n, y la técnica de dopaje con elementos donadores puede mejorar significativamente sus características de conductividad tipo n. Las películas conductoras transparentes basadas en ZnO tienen ventajas como la abundancia de materias primas, métodos diversos de preparación y crecimiento a temperatura ambiente, y pueden aplicarse en áreas como optoelectrónica, sensores y foto-termia. Entre ellas, el ZnO dopado con Al (AZO) es un óxido conductor transparente típico (TCO) que recibe mucha atención. Este artículo, tomando las películas AZO como principales representantes, revisa los avances recientes en películas conductoras transparentes basadas en ZnO, incluyendo películas monocapa dopadas con ZnO, películas multicapa basadas en ZnO y películas flexibles basadas en ZnO, así como sus propiedades fisicoquímicas; estudia especialmente la movilidad, la banda prohibida, la transmitancia/absorbancia/reflectancia y sus propiedades optoelectrónicas y relaciones internas; describe detalladamente las aplicaciones de las películas conductoras transparentes basadas en ZnO en LED, células solares, sensores, calentamiento semiconductores; finalmente, presenta una perspectiva sobre los desafíos existentes y las tendencias futuras.

óxido de zinc; películas conductoras transparentes; dopaje donante; AZO; propiedades optoelectrónicas