La energía de enlace del excitón en ZnO de hasta 60 meV permite que la energía del excitón sea estable a temperatura ambiente o incluso a temperaturas más altas, lo que hace que los dispositivos de polaritones de excitón basados en microcavidades de acoplamiento fuerte de ZnO puedan superar las limitaciones de las condiciones experimentales de baja temperatura en semiconductores tradicionales, siendo este material el preferido por los investigadores en la última década para el estudio de polaritones de excitón. Este artículo presenta las principales estructuras de microcavidades semiconductoras de ZnO y se centra en los fenómenos relacionados con las microcavidades de acoplamiento fuerte de ZnO y los polaritones de excitón reportados en años recientes, incluyendo el láser de polaritones, la dispersión paramétrica y las características de control de estados cuánticos, para finalmente ofrecer una perspectiva de las direcciones futuras de investigación.

óxido de zinc; polaritones de excitón; microcavidades ópticas; condensación de Bose-Einstein