El óxido de zinc (ZnO) tiene una banda prohibida directa relativamente amplia (3,37 eV), una energía de enlace de excitones considerable (60 meV) y buenas características de ganancia, lo que lo convierte en un material ideal para dispositivos de emisión ultravioleta pura de baja dimensión y de alta eficiencia, así como para dispositivos láser. Actualmente, se han logrado láseres bombeados ópticamente basados en cavidades microestructuradas de ZnO de diversas formas, pero el desarrollo de dispositivos accionados eléctricamente es clave para su aplicación práctica. Este artículo revisa brevemente las propiedades básicas del ZnO y los métodos comunes para preparar sus microestructuras nano, organizando los principales avances en investigación de dispositivos emisores y láser basados en microestructuras nano ZnO según diferentes estructuras de dispositivos. Primero, se describen los avances en dispositivos emisores y láser basados en heteroestructuras de ZnO de baja dimensión y estructuras de Schottky, junto con métodos para optimizar sus rendimientos; luego se discute el estado actual de la investigación en materiales ZnO tipo p y dispositivos emisores y láser con estructuras homogéneas correspondientes; finalmente, se resumen y analizan los problemas existentes en los dispositivos basados en ZnO y las direcciones futuras de desarrollo.

óxido de zinc;dispositivos emisores;dispositivos láser;heteroestructura;homoestructura