Con el fin de investigar el efecto de la capa de inserción GaAs en el rendimiento de emisión de los materiales de pozo cuántico InGaAs en el rango de longitudes de onda de 905 nm, se prepararon materiales de pozo cuántico InGaAs en el rango de longitudes de onda de 905 nm utilizando la técnica de depósito químico de compuestos organometálicos (MOCVD) basada en materiales de pozo cuántico InGaAs/InAlGaAs y InGaAs/AlGaAs. Las pruebas AFM y XRD revelaron que la capa de inserción GaAs puede optimizar la rugosidad de la superficie y la calidad cristalina de ambos materiales. Las pruebas PL a temperatura ambiente también mostraron que la capa de inserción GaAs puede mejorar la estructura de banda de los dos materiales, mejorando el efecto de emisión. Las pruebas PL a temperatura variable y de potencia variable mostraron que la longitud de onda de emisión de los materiales InGaAs/InAlGaAs varía en forma de S con el aumento de la temperatura, el valor característico α < 1, el mecanismo de recombinación de radiación a baja temperatura cambia de emisión de recombinación de excitones libres a emisión de estado localizado. En cuanto a los materiales InGaAs/AlGaAs, la capa de inserción GaAs no ha modificado su mecanismo de recombinación. Este estudio presenta un interés particular en el estudio del impacto de la capa de inserción GaAs en el rendimiento óptico y el mecanismo de recombinación de portadores en los materiales de pozo cuántico InGaAs/InAlGaAs e InGaAs/AlGaAs.

Pozo cuántico, capa de inserción GaAs, estado localizado, depósito químico de compuestos organometálicos (MOCVD)