Aunque los láseres de ZnO tienen ventajas significativas en las características de ganancia, el proceso de grabado del material ZnO limita la fabricación de microcavidades de tamaños arbitrarios, lo que obstaculiza su aplicación en chip. En este trabajo, se prepararon matrices de microdiscos de ZnO suspendidos mediante el crecimiento de ZnO patrón en un sustrato de silicio aislado (SOI), y se estudiaron sistemáticamente la estructura, morfología y características de fotoluminiscencia (PL) de las microcavidades. Las microcavidades tienen una estructura circular; bajo la tensión superficial y el esfuerzo combinado, los microdiscos de ZnO muestran una estructura anular única y paredes laterales lisas. Los microdiscos de ZnO (diámetro de 8 μm) emitieron un láser ultravioletas de modos resonantes de pared (WGMs) bombeado ópticamente, con un factor Q que supera los 1300. Más interesante aún, debido al aumento de la interacción luz-materia en la microcavidad, la calidad óptica del microdisco de ZnO fue buena, apoyando el fenómeno de reorganización de la banda prohibida (BGR) en el material ZnO en un estado altamente excitado, y el modo láser también fue modulado. Los resultados experimentales muestran que a medida que aumenta la potencia de bombeo, el espectro láser experimenta un desplazamiento hacia el azul debido al efecto Burstein-Moss (BM) y un desplazamiento hacia el rojo debido al efecto plasma electrón-hueco (EHP).

óxido de zinc; microdisco; láser afinable; epitaxia de haz molecular