Se prepararon polvos de YbNbO₄ dopados con un x% (concentración de iones) Ho³⁺ (x=1, 2, 5, 10, 15) mediante síntesis de fase sólida a alta temperatura. Los muestras sintéticas de polvo de fluorescencia se caracterizaron mediante análisis de difracción de rayos X (XRD) y espectroscopía infrarroja por transformada de Fourier (FT-IR), y los resultados mostraron que las muestras de polvo de fluorescencia sintéticas tenían una estructura monoclínica y un grupo espacial I2/a. También se calculó la estructura electrónica de la matriz YbNbO₄ (banda de energía y densidad de estados), y mostró que YbNbO₄ tenía un intervalo de energía directo, con una anchura de banda prohibida de 4,223 eV. Se estudió más a fondo el efecto de la concentración de dopaje de los iones Ho³⁺ en el espectro de emisión, y se seleccionó la concentración de dopaje iónico del 2% Ho³⁺ para tener el efecto de excitación óptimo. Además, se examinó el espectro de emisión de la muestra dopada con un 2% Ho³⁺ a diferentes potencias de excitación, y mediante el ajuste de los picos de emisión a la potencia de excitación, se determinó que la emisión de luz ascendente del Ho³⁺ a 666 nm (5F₅ → 5I₈) y la luz verde a 543 nm (5S₂/5F₄ → 5I₈) pertenecían a un proceso de dos fotones. Además, basándonos en la tecnología de la relación de intensidad de fluorescencia (LIR), se midió el espectro a temperatura variable de la muestra dopada con un 2% de Ho³⁺ en el rango de temperatura 300-570 K, y se calcularon la sensibilidad absoluta utilizada para caracterizar el rendimiento de detección de temperatura óptica (S_a) y la sensibilidad relativa (S_r). Los resultados mostraron que (S_r) de la muestra alcanzó un valor máximo a 420 K, alcanzando 0,36%·K^-1.

Emisión de luz ascendente; Método de síntesis de alta temperatura sólida; Relación de intensidad de fluorescencia; Cálculos de primeros principios