En respuesta a la demanda actual de aplicaciones del láser naranja-amarillo en los campos de la medicina láser, la inspección de alimentos y medicamentos, se llevó a cabo una investigación sobre un láser de semiconductor de emisión superficial vertical con cavidad externa (VECSEL) de alta potencia a 1150 nm de longitud de onda fundamental. Se propuso una estructura de cavidad externa con un modo fundamental de gran tamaño dentro de la cavidad láser, que permite que el modo dentro del VECSEL coincida con un tamaño grande de mancha de bombeo, logrando una salida de láser de alta potencia; se propuso una estructura de desacoplamiento pico de ganancia-modo de cavidad, donde el coeficiente de deriva térmica del pico de ganancia y del modo de cavidad son diferentes, logrando una buena coincidencia pico de ganancia-modo bajo alta potencia de bombeo y un control estable de la longitud de onda del láser durante funcionamiento a alta potencia de bombeo. El dispositivo VECSEL fabricado alcanzó una potencia de salida láser a 1150 nm de longitud de onda de 9,38 W, y obtuvo una forma de mancha de salida simétrica y circular, con ángulos de divergencia en direcciones ortogonales de 7,3° y 7,5°, respectivamente.

láser de semiconductor; láser de semiconductor de emisión superficial vertical; chip de ganancia; pozo cuántico por tensión