Se preparó una serie de fósforos ZnGa₂O₄∶xCr³⁺，yMgF₂ mediante el método de estado sólido a alta temperatura, y se estudiaron su estructura de fase y propiedades de emisión. Los resultados muestran que el ion F es el principal responsable en la dopaje con MgF₂, la sustitución de aniones F/O forma centros emisores locales diferentes［CrO₆］y［Cr（O，F）₆］, que amplía significativamente el espectro de emisión de ZnGa₂O₄∶Cr³⁺. Al aumentar la concentración de Cr³⁺, el espectro de emisión se desplaza continuamente hacia el rojo, logrando una emisión ajustable en el rango de longitud de onda 689~900 nm; los análisis espectroscópicos estables y transitorios indican que el gran desplazamiento hacia el rojo del pico se debe a la transferencia de energía entre diferentes centros emisores Cr³⁺. La muestra optimizada ZnGa₂O₄∶0.1Cr³⁺，0.2MgF₂ (ZMGOF∶0.1Cr³⁺) muestra un buen rendimiento integral, con emisión de banda ancha en el infrarrojo cercano de 700 a 1200 nm bajo excitación azul, longitud de onda pico a 885 nm y ancho a media altura de 215 nm; posee una eficiencia luminosa y estabilidad térmica sobresalientes, con eficiencias cuantales internas y externas de 92.3% y 48.1% respectivamente, y una retención de intensidad a 100 ℃ de aproximadamente 89.6%. Los dispositivos LED encapsulados con el fósforo ZMGOF∶0.1Cr³⁺ presentan una potencia óptica de salida de luz infrarroja cercana de aproximadamente 34.5 mW bajo una corriente de 100 mA y una eficiencia de conversión energética de aproximadamente 12.3%.

fósforo;LED;infrarrojo cercano;activación Cr³⁺;sustitución aniónica