La modificación de la interfaz enterrada puede mejorar eficazmente la eficiencia y estabilidad de las células solares de perovskita. En este trabajo, al utilizar dicloruro de cobalto bis (trifenilfosfina) (BTPPCC) como agente modificador de la superficie de la interfaz enterrada preimplantada, se logró la pasivación de defectos enriquecidos en la superficie inferior de la película de perovskita MAPbI₃, se optimizó el contacto en la interfaz entre la película de perovskita y la capa de transporte de huecos inferior (HTL), mejorando la cristalinidad de la capa absorbente de luz de perovskita. Además, el BTPPCC suprime eficazmente la recombinación no radiativa de cargas en la interfaz, mejorando la estabilidad a largo plazo del dispositivo, haciendo que la eficiencia de conversión energética (PCE) del dispositivo tipo p-i-n aumente del 18,37 % al 20,12 %. El dispositivo sin encapsular mantiene más del 76 % de su eficiencia inicial tras casi 500 horas de funcionamiento continuo en aire ambiente a temperatura ambiente con una humedad relativa (RH) del 50 %. Esto proporciona un método eficaz para optimizar la interfaz enterrada de perovskita.

células solares de perovskita; interfaz enterrada; pasivación de defectos