Los materiales de perovskita, gracias a su banda prohibida ajustable, alto coeficiente de absorción de luz y baja energía de unión de excitones, destacan en los campos de la fotovoltaica y la detección fotoeléctrica semiconductora. Las perovskitas basadas en plomo universales generalmente absorben en la región UV a visible, mientras que las perovskitas puras a base de estaño o mixtas de estaño y plomo con banda estrecha tienen espectros de absorción limitados al rango del infrarrojo cercano dentro de aproximadamente 1060 nm, lo que limita sus aplicaciones futuras en escenarios complejos de detección e imagen. La combinación de perovskita con semiconductores de banda estrecha para construir heterouniones compuestas “perovskita/semiconductor” puede ampliar aún más el rango espectral y mejorar la eficiencia de absorción. Esta revisión resume los avances en detectores fotoeléctricos de banda ancha basados en perovskita en optimización del rendimiento de detección, excelentes propiedades de materiales individuales, ingeniería óptima de materiales compuestos, y discute progresos y perspectivas en respuesta espectral, integración de píxeles, desarrollo de dispositivos flexibles y estabilidad. Esta revisión ayudará a impulsar la investigación de detectores fotoeléctricos de banda ancha basados en perovskita y sus futuras aplicaciones en imágenes.

Perovskita;Detector fotoeléctrico infrarrojo;Detector fotoeléctrico de banda ancha;Puntos cuánticos;Heterounión