Para mejorar la eficiencia de inyección de huecos en LED de pozos cuánticos múltiples basados en GaN, se diseñó una estructura epitaxial con diferentes capas de barreras finales y se fabricó un chip mini-LED verde. Se estudió el mecanismo de transporte de portadores utilizando espectros de electroluminiscencia a baja temperatura y pruebas de corriente-tensión. Los resultados muestran que en las muestras con capas finales de barrera AlGaN o GaN/AlN, más portadores pueden transmitirse a los pozos cuánticos profundos, aumentando la eficiencia de inyección de huecos. Este artículo investiga el mecanismo de transporte de portadores y el papel de los defectos en forma de V en este fenómeno, encontrando que la mejora proviene principalmente del aumento de la proporción de inyección de huecos mediante los pozos en V. Además, se descubrió que una proporción excesiva de inyección en pozos V aumenta la tasa de recombinación no radiativa, lo que reduce la eficiencia de conversión electroóptica en las muestras con capa de barrera final AlGaN.

diodo emisor de luz; capa de barrera final; inyección de huecos; pozos cuánticos múltiples InGaN/GaN; pozos en V