Actualmente, los detectores fotoeléctricos con modos de detección de banda ancha y banda estrecha son populares en aplicaciones especiales. Los detectores fotoeléctricos tradicionales con modos dobles se logran añadiendo diferentes filtros a un detector fotoeléctrico de banda ancha. Sin embargo, agregar elementos ópticos complejos aumenta el costo de fabricación del detector y la complejidad de integración del dispositivo. Basándonos en estos problemas, preparamos heterouniones monocristalinas de perovskita MAPbCl₃/MAPbBr₃ mediante un método simple de prensado térmico en solución, y construimos un detector fotoeléctrico con banda de detección ajustable basado en la heteroestructura monocristalina. Cuando la luz incidente incide desde el lado del monocristal MAPbCl₃, el dispositivo muestra alta responsividad únicamente en la parte visible (400~600 nm) (~0.05 A·W^-1) y una alta relación de supresión espectral (~55), con tiempos de subida y caída de 4.1 μs y 620 μs respectivamente. Cuando la luz incide desde el lado del monocristal MAPbBr₃, el dispositivo muestra una respuesta fotovoltaica clara y continua en la parte ultravioleta-visible (300~600 nm). Por lo tanto, el método de prensado térmico en solución propuesto y la heteroestructura monocristalina proporcionan una solución eficaz para fabricar detectores fotoeléctricos de alto rendimiento con longitud de onda de detección ajustable.

Detector fotoeléctrico; Perovskita; Monocristal; Detección multibanda