Los materiales de perovskita haluro metálico, debido a sus excelentes propiedades optoelectrónicas, pueden utilizarse para fabricar diodos emisores de luz, y en los últimos años han recibido mucha atención. En la superficie de la perovskita y en la interfaz perovskita/capa de transporte existen numerosos defectos que afectan gravemente el rendimiento y la estabilidad del dispositivo. El tratamiento efectivo de pasivación de superficie/interfaz es una vía viable para reducir los defectos de la interfaz y mejorar el rendimiento del dispositivo. Este artículo reporta una estrategia de tratamiento de superficie que añade acetato de guanidinio al extractante, que puede reducir eficazmente los defectos superficiales de la capa de perovskita, mejorar la morfología de la película y aumentar así la eficiencia cuántica de fluorescencia de la película de perovskita del 64% al 79%. Los diodos emisores de luz fabricados con películas de perovskita tratadas en superficie con acetato de guanidinio alcanzaron una eficiencia máxima del 11,66% y una luminancia máxima de 1285 cd·m^-2, muy superiores a los dispositivos de referencia sin tratamiento (6,69%, 689 cd·m^-2), además de mostrar una mejor estabilidad. Este estudio proporciona una estrategia eficaz de tratamiento de superficie de perovskita que puede mejorar el rendimiento y la estabilidad de los diodos emisores de luz de perovskita.

perovskita;diodo emisor de luz;tratamiento superficial;cuasi bidimensional;pasivación de defectos