Se investigó el método de crecimiento epitaxial de LEDs (diodos emisores de luz) sobre sustratos de zafiro/grafeno y sus mejoras en el rendimiento optoelectrónico. Los resultados muestran que el sustrato de zafiro/grafeno tiene una menor densidad de dislocaciones, con una reducción de las dislocaciones en tornillo y en borde del 15.3% y 70.8% respectivamente en comparación con las muestras tradicionales. Las pruebas de Raman también indicaron que la tensión compresiva en las muestras de zafiro/grafeno es menor que en las muestras tradicionales. El análisis elemental mostró un buen crecimiento del pozo cuántico en la región activa, con una distribución uniforme de elementos In y Ga en el pozo cuántico sin difusión mutua. Las pruebas de rendimiento optoelectrónico revelaron que la potencia de salida luminosa (LOP) de las muestras de zafiro/grafeno es mayor que la de las muestras tradicionales bajo corriente de trabajo y saturación, aumentando la LOP en un 18.4% y 36.7% respectivamente, y la disminución de eficiencia mejoró en un 9.9% en comparación con las muestras tradicionales. Los resultados de las pruebas a temperatura variable mostraron que las muestras de zafiro/grafeno también presentan una menor resistencia térmica, temperatura de unión y desplazamiento de longitud de onda más pequeño, con una resistencia térmica promedio que es 5.14 ℃/W menor que la de las muestras tradicionales. Los resultados indican que las muestras epitaxiadas sobre sustratos de zafiro/grafeno mejoran considerablemente el rendimiento optoelectrónico y la disipación térmica de los dispositivos.

zafiro/grafeno;calidad cristalina;disminución de eficiencia;rendimiento térmico