Propiedades de emisión en el infrarrojo cercano de Li(Sc, M)Si2O6∶Cr3+M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+

LU Ziwei ,  

LIU Yongfu ,  

LUO Zhaohua ,  

SUN Peng ,  

JIANG Jun ,  

摘要

Los diodos emisores de luz cercanos al infrarrojo con conversión fluorescente (NIR pc⁃LED) tienen las ventajas de tamaño pequeño, banda espectral ancha y pico de emisión fácilmente ajustable, siendo un avance en el desarrollo de fuentes de luz NIR de nueva generación. La clave es desarrollar un fósforo fluorescente de banda ancha y alta eficiencia que pueda ser excitado eficazmente por luz azul. El material fluorescente LiScSi2O6∶Cr3+ tiene una longitud de onda de excitación de 460 nm, el pico de emisión está en 845 nm, con un ancho de banda espectral de 156 nm y una eficiencia cuántica interna de 64.4%. Basado en este sistema, este trabajo regula su rendimiento mediante la sustitución de iones Sc3+ por iones M (M = Ga3+, Lu3+, Y3+, Gd3+). Los resultados muestran que la introducción de iones M facilita la formación de fases extrañas o transiciones de fase, lo que reduce el rendimiento de emisión del material. Este estudio analiza el proceso de regulación desde la estructura cristalina.

关键词

LiScSi2O6∶Cr3+; sustitución catiónica; estructura cristalina

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