En los últimos años, los materiales semiconductores híbridos de perovskita han sido muy valorados en el campo de dispositivos optoelectrónicos debido a sus muchas ventajas, como la banda prohibida ajustable, alta coeficiente de absorción, alta movilidad de portadores y bajo costo, en dispositivos como células solares, dispositivos electroluminiscentes y fotodetectores. Entre ellos, las películas monocristalinas de perovskita muestran características ópticas y eléctricas superiores debido a la ausencia de límites de grano, bajo contenido de impurezas y defectos, convirtiéndolas en un sistema material ideal para fabricar dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento. Sin embargo, las películas monocristalinas de perovskita normalmente se cultivan directamente sobre la capa de transporte de huecos mediante el método de confinamiento espacial, lo que inevitablemente conduce a problemas de defectos en la interfaz y transporte de portadores entre capas, limitando seriamente el rendimiento de los fotodetectores de películas monocristalinas de perovskita. Por ello, en este trabajo se introdujo la tecnología del método de despegue de plantilla, depositando capas funcionales en ambos lados de la película monocristalina de perovskita para fabricar un fotodetector con una estructura Cu/BCP/C₆₀/MAPbBr₃/MoO₃/Ag. Basado en el método de despegue de plantilla, las capas funcionales depositadas en ambos lados tienen contacto cercano con la película monocristalina, lo que mejora eficazmente la inyección y transporte de los portadores; al mismo tiempo, la estructura optimizada del dispositivo y la consideración del emparejamiento de bandas de energía permiten lograr un fotodetector de película monocristalina de alta sensibilidad y respuesta rápida. El dispositivo mejorado tiene una relación de encendido/apagado de hasta 3.1 × 10³, una responsividad de 7.15 A/W, una tasa de detección de 5.39 × 10¹² Jones y una eficiencia cuántica externa del 1794%. Este trabajo proporciona una solución técnica viable para mejorar y aumentar el rendimiento de los fotodetectores de películas monocristalinas de perovskita.

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