El óxido de zinc (ZnO), como un excelente material de transporte electrónico, se utiliza ampliamente en dispositivos electroluminiscentes de puntos cuánticos (QLED) de alto rendimiento. Sin embargo, debido a la alta tasa de transporte de carga de la capa de ZnO, se inyecta un exceso de electrones en el dispositivo, lo que provoca un desequilibrio de portadores de carga dentro del dispositivo y reduce su eficiencia. Además, la naturaleza higroscópica de ZnO facilita que el contacto entre ZnO y el electrodo se vea afectado por el entorno externo (humedad y oxígeno), lo que afecta la estabilidad del almacenamiento del dispositivo, especialmente en QLEDs con estructura invertida. Para resolver este problema, utilizamos MoO₃/ZnO como capa generadora de carga (CGL) para fabricar QLEDs de estructura invertida. Esta estructura mejoró el problema del desequilibrio de portadores de carga, aumentando la eficiencia máxima de corriente del dispositivo de 12.8 cd/A a 15.7 cd/A. Además, la CGL no requiere inyección de carga del electrodo, sino que genera carga a través del campo eléctrico e inyecta la carga en la capa emisora, reduciendo así el impacto de la interfaz del electrodo en el rendimiento del dispositivo y mejorando considerablemente su estabilidad.

capa generadora de carga; almacenamiento de carga; sobreimpulso; electroluminiscencia transitoria