El detector fotoeléctrico ultravioleta de semiconductor de banda ancha ZnO tiene alta estabilidad, bajo costo y muchas ventajas, con importantes perspectivas de aplicación en defensa nacional, medicina y monitoreo ambiental. En este trabajo, se preparó una película delgada de ZnO en un sustrato de SiO₂ mediante tecnología de magnetrón de radiofrecuencia. Sobre esta base, se obtuvo un detector fotoeléctrico ultravioleta ZnO con estructura metal⁃semiconductor⁃metal (MSM) de alta ganancia. Bajo un voltaje de polarización de 10 V, la responsividad y la eficiencia cuántica externa del detector fueron de 4.90 A/W y 1668% respectivamente. Esto se debe a la alta ganancia provocada por la captura de huecos en la interfaz semiconductor-metal bajo iluminación. Además, se estudió la regulación y los mecanismos de influencia del efecto de ganancia, el voltaje de polarización aplicado y el ancho de la capa de agotamiento sobre la responsividad del detector fotoeléctrico ultravioleta ZnO, proporcionando una referencia importante para el desarrollo y control del rendimiento de detectores fotoeléctricos ultravioleta de alto rendimiento.

ZnO; detector fotoeléctrico ultravioleta; responsividad; efecto de ganancia; capa de agotamiento