Las películas de perovskita de cesio, plomo y bromo preparadas mediante deposición química de vapor (CVD) presentan excelentes propiedades optoelectrónicas, sin embargo, las películas suelen contener dos regiones estructurales de fases diferentes, CsPbBr₃ y CsPb₂Br₅. En este trabajo, se prepararon películas de perovskita CsPbBr3 mediante CVD, y se estudió la influencia de la presión del gas reactivo y el flujo de N₂ en la estructura de fase CsPb₂Br₅ mediante difracción de rayos X (XRD), microscopía electrónica de barrido (SEM), espectroscopía de energía dispersiva (EDS) y espectroscopía de fluorescencia. Los resultados experimentales muestran que el cambio de presión del gas reactivo no afecta a la estructura de fase CsPb₂Br₅; sin embargo, a medida que disminuye el flujo de N₂, parte de la estructura de fase CsPb₂Br₅ se transforma gradualmente en la estructura de fase CsPbBr₃, y su emisión cambia de una emisión de banda ancha centrada en ~630 nm a una emisión de banda estrecha centrada en ~530 nm. Los experimentos demuestran que el flujo de N₂ es un medio efectivo para controlar la estructura de fase y las propiedades de emisión de CsPb₂Br₅.

Deposición química de vapor;Películas de perovskita CsPbBr₃;Estructura de fase CsPb₂Br₅