Las trampas profundas en materiales de luminiscencia persistente presentan un excelente rendimiento en almacenamiento y liberación de energía, por lo que tienen una gran ventaja en el almacenamiento de información óptica. En este artículo se sintetizó un nuevo material amarillo de luminiscencia persistente γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ mediante el método sólido a alta temperatura. Su espectro de emisión es una emisión de banda ancha centrada en 565 nm, con un rango de 400 a 800 nm, asignada a la transición ³P₁→¹S₀ del ion Bi³⁺. Tras la irradiación con luz ultravioleta, se observó una luminiscencia amarilla brillante de larga persistencia en la muestra γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺. El análisis del espectro termoluminiscente mostró que en γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ existen tres trampas principales con profundidades de 0.678, 0.838 y 0.978 eV, respectivamente. La trampa superficial de 0.678 eV es la principal razón del fenómeno de luminiscencia persistente en este material, mientras que la intensidad del pico termoluminiscente de la trampa profunda de 0.838 eV sólo disminuyó un 18.6% tras 12 horas, lo que indica una liberación lenta de electrones de las trampas profundas. Basándose en las propiedades de las trampas profundas del material, se diseñó un patrón de letras y se realizaron experimentos de almacenamiento de información óptica, demostrando que este material tiene potencial para aplicaciones en almacenamiento de información.

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