Crecimiento mediante técnica de crecimiento definida por borde y propiedades ópticas de los cristales láser infrarrojos Dy3+∶Lu2O3

WANG Gui-ji ,  

DING Xiao-yuan ,  

YIN Yan-ru ,  

JIA Zhi-tai ,  

TAO Xu-tang ,  

摘要

Se prepararon cristales de Lu2O3 no dopados y dopados con Dy3+ mediante la técnica de crecimiento definida por borde (Edge‑defined film‑fed growth technique, EFG). Tras el recocido en aire, los cristales no dopados y dopados se volvieron incoloros y de color amarillo pálido respectivamente. Los cristales se caracterizaron mediante difracción de rayos X de alta resolución, espectroscopía Raman y espectroscopía de absorción. Los resultados mostraron que el ancho a media altura de las curvas de difracción de rayos X de los cristales fue de 98.4", 170.4" y 193.9", y la energía máxima de fonones fue de 609.0, 611.4 y 612.6 cm-1; los cristales no dopados no mostraron absorción significativa en el rango 260~3000 nm, mientras que los cristales dopados presentaron picos característicos de absorción de Dy3+ en 350, 742, 798, 884, 1063, 1258, 1681, 2774 nm. La excitación con láser de 1258 nm produjo un espectro de fluorescencia en el rango de 2.7~3.0 μm, y se calcularon las vidas medias del nivel 6H13/2 de Dy3+ de 17.9 μs y 16.3 μs. Se calcularon los parámetros ópticos mediante la teoría de Judd‐Ofelt (abreviada J‐O), y los resultados mostraron el potencial de los cristales Dy3+∶Lu2O3 para la emisión láser en la banda de 3 μm.

关键词

Dy3+∶Lu2O3;técnica de crecimiento definida por borde;cristales láser infrarrojos

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