Se presenta una introducción breve sobre el concepto de materiales inorgánicos con luminiscencia persistente y materiales de almacenamiento óptico, su origen y el estado actual de la investigación. Se describen brevemente tres materiales comerciales clásicos de luminiscencia persistente y almacenamiento óptico. Basándose en estos tres materiales comerciales, se analizan los problemas existentes en el diseño racional de dichos materiales y se presenta una estrategia para diseñar materiales de luminiscencia persistente y almacenamiento óptico basada en el diagrama de niveles de energía referido al vacío (diagrama VRBE). Primero, se introduce la definición del diagrama de niveles de energía referido al vacío y los parámetros del modelo y datos espectrales experimentales necesarios para su construcción. Sobre la base del diagrama de niveles de energía referido al vacío de compuestos inorgánicos dopados con iones de tierras raras, se describen las posiciones de los niveles de energía de los iones de bismuto bivalente y trivalente. En segundo lugar, basado en el diagrama VRBE del material modelo YPO₄, se introduce la definición y diferencia entre el modelo de liberación de electrones y el modelo de liberación de huecos. Finalmente, combinando el diagrama VRBE de los compuestos REPO₄ dopados con iones de tierras raras y bismuto (RE=La, Y, Lu) y la familia de compuestos NaYGeO₄, se discute brevemente cómo diseñar los centros de trampa de electrones y huecos y cómo controlar la profundidad de las trampas de electrones o huecos. El diagrama VRBE tiene un significado guía para discutir la captura y liberación de portadores y para el diseño racional y la exploración de materiales inorgánicos con luminiscencia persistente y almacenamiento óptico.

Diagrama de niveles de energía referido al vacío;Iones de tierras raras;Bi³⁺;Bi²⁺;Luminiscencia persistente;Materiales de almacenamiento óptico