Se preparó un fotodetector ultravioleta basado en una película nano CuSCN mediante crecimiento in situ. Bajo un sesgo de -1 V y con luz incidente de 350 nm, el fotodetector UV de CuSCN mostró una relación de encendido/apagado de aproximadamente 94, tiempos de respuesta/recuperación de aproximadamente 1.41 s/1.44 s. Sin embargo, este dispositivo aún no puede considerarse un fotodetector de alto rendimiento. Para mejorar aún más el rendimiento fotoeléctrico de la película nano CuSCN, se fabricó un fotodetector UV basado en una película compuesta n-ZnS/p-CuSCN, y se analizaron la morfología, composición y rendimiento de las muestras preparadas. Los resultados mostraron que bajo un sesgo de -1 V y longitud de onda incidente de 350 nm, el fotodetector ZnS/CuSCN exhibió una corriente fotoeléctrica más alta y una corriente oscura más baja que el fotodetector CuSCN, siendo de 1.22×10^-5 A y 4.8×10^-9 A respectivamente. El fotodetector UV basado en la película nano ZnS/CuSCN presenta una relación de encendido/apagado de 2542, tiempos de respuesta/recuperación de 0.47 s/0.48 s, con la mejor responsividad y tasa de detección a 350 nm, de 5.17 mA/W y 1.32×10^11 Jones respectivamente. Además, la película compuesta n-ZnS/p-CuSCN tiene un rendimiento estable a temperatura ambiente y muestra potencial como fotodetector UV de alto rendimiento.

fotodetector;unión p-n;ZnS/CuSCN;relación de encendido