El material In_0.49Ga_0.51P ha recibido amplia atención en la investigación de láseres de onda corta basados en GaAs y láseres sin aluminio debido a su coincidencia con la red cristalina de GaAs y su amplia brecha de energía. Las diferentes aplicaciones en distintos campos requieren diferentes rendimientos del material In_0.49Ga_0.51P, lo que provoca cambios en el grado de orden del material y, en consecuencia, cambios en sus características de emisión luminosa. En este trabajo, se utiliza la técnica de deposición química de vapor organometálico (MOCVD) para estudiar el efecto del grado de orden del material In_0.49Ga_0.51P en sus propiedades de emisión luminosa sobre un sustrato de GaAs semi-aislante. Se modificó el grado de orden del material In_0.49Ga_0.51P mediante el cambio en el flujo de dopantes de silano (SiH₄) y dietilzinc (DEZn) y la relación V/III. Las pruebas de fotoluminiscencia (PL) a temperatura ambiente y a baja temperatura muestran que el aumento del flujo de dopantes de ambos tipos conduce a una disminución del grado de orden de In_0.49Ga_0.51P, lo que provoca un corrimiento al azul de la longitud de onda de emisión del InGaP. Además, el aumento de la relación V/III provoca un aumento del grado de orden de In_0.49Ga_0.51P, causando un corrimiento al rojo en la longitud de onda de emisión de la muestra.

deposición química de vapor organometálico;fosfuro de indio-galio/arseniuro de galio;fotoluminiscencia;dopaje intencional