La optimización y mejora de los materiales luminiscentes siempre ha sido un foco de investigación en los campos relacionados. Los defectos de la red cristalina formados durante el proceso de crecimiento/preparación del cristal están estrechamente vinculados con la migración de portadores de carga, y mediante la regulación artificial de los defectos se puede controlar la migración de los portadores, mejorando así el rendimiento luminiscente, lo que es de gran importancia para el desarrollo y la aplicación de materiales luminiscentes. Las investigaciones han descubierto que, al dopar iones metálicos de transición o tierras raras en una estructura tridimensional específica, los defectos puntuales resultantes de la sustitución de cationes no equivalentes pueden no solo promover eficazmente la reducción del estado de valencia de los iones activadores multivalentes, sino también cooperar con los defectos intrínsecos para formar niveles trampas funcionales, logrando así el almacenamiento de portadores y un equilibrio dinámico en respuesta a estímulos externos, mejorando el rendimiento luminiscente de los materiales e incluso trayendo nuevas características luminiscentes. Este artículo resume sistemáticamente los mecanismos internos de acoplamiento y las formas de regulación entre los defectos puntuales y el rendimiento luminiscente de las muestras, con la esperanza de proporcionar una inspiración significativa para el desarrollo y exploración de nuevos materiales cristalinos funcionales optoelectrónicos.

defectos de red; auto-reducción; estabilidad térmica; luminiscencia persistente; luminiscencia por estrés