Качество кристаллизации перовскитных пленок является одним из ключевых факторов, влияющих на производительность перовскитных солнечных элементов. Однако в процессе кристаллизации легко образуются многочисленные внутренние дефекты, которые значительно ограничивают фотоэлектрические характеристики устройств и снижают их экологическую стабильность. В данном исследовании предложена стратегия пассивации дефектов на основе димерных кристаллических границ с инновационным введением 8-гидроксикиналин-5-карбоновой кислоты (HQC) в качестве легирующей добавки в объем фазы перовскита. Успешно создан мост молекул-димеров на границах перовскита, а дефекты пассивированы с помощью двухзубчатой хелатной связи. Солнечные элементы на основе перовскита с модификацией HQC достигли фотопреобразовательной эффективности 24,59%. Кроме того, была значительно улучшена экологическая стабильность устройств.