Перовскитные квантовые точки светодиодов (Pe QLEDs) стали перспективным кандидатом на роль технологии дисплеев следующего поколения. Тем не менее их производительность по-прежнему ограничена подавлением флуоресценции квантовых точек (QD), вызванным слоем переноса электронов (ETL), а также избыточной инжекцией электронов. Здесь предложена стратегия интерфейсной инженерии с внедрением TmPPPyTz (2,4,6-трис(3'-(пиридин-3-ил)-[1,1'-бифенил]-3-ил)-1,3,5-триазина) между светящимся слоем и электроннотранспортным слоем BPBiPA (2-фенил-1-(4-(10-(4-(2-фенил-3a,7a-дигидро-1H-бензо[d]имидазол-1-ил)фенил)антрацен-9-ил)фенил)-1H-бензо[d]имидазол), что одновременно подавляет интерфейсное заглушение, регулирует баланс носителей заряда и пассивирует поверхность светящегося слоя. Проведен всесторонний оптический и электрический анализ, в итоге оптимизированное устройство достигло максимальной внешней квантовой эффективности (EQE) 28,1% и увеличения стабильности работы в 1,7 раза. Эта работа представляет эффективный метод интерфейсной инженерии для создания высокоэффективных и стабильных Pe QLEDs.

Перовскитные квантовые точечные светодиоды; интерфейсная инженерия; подавление флуоресценции