NiO_x, как перспективный неорганический слой инжекции дырок (HIL) для квантовых точечных светодиодов (QLED), при существующих методах синтеза сталкивается с такими проблемами, как высокая стоимость и сложность технологии. В данной работе был синтезирован одноразмерный, высококристаллический NiO_x нанокристалл (средний размер ~ 5,5 нм) методом термического инжектирования, сочетающим низкую себестоимость жидкостного метода и отсутствие необходимости высокотемпературного отжига. Дополнительно, на границе NiO_x HIL и слоя переноса дырок был введён молекулярный слой (2-(9H-карбазол-9-ил) этил) фосфоновой кислоты 2PACz, который эффективно подавляет эрозию растворителя и снижает концентрацию дефектов гидроксильных групп на поверхности на 6,3%. На основе данного композитного HIL были изготовлены красные QLED, у которых напряжение зажигания снизилось с 6,1 В до 5,8 В, внешняя квантовая эффективность выросла с 5,24% до 7,34%, а срок службы увеличился на 73%. Данное исследование предлагает простой и недорогой метод изготовления NiO_x-основанного HIL для полностью неорганических QLED.

квантовые точечные светодиоды;термический инжектирование;оксид никеля;неорганический слой инжекции дырок