Перовскитные светоизлучающие диоды (PeLEDs) считаются перспективными кандидатами на роль технологии следующего поколения благодаря своим отличным оптоэлектронным свойствам. Несмотря на значительное улучшение характеристик устройств, вопрос получения высококачественных перовскитных пленок для создания высокопроизводительных PeLEDs остается сложной задачей в области. В настоящем исследовании путем осаждения тонкого модифицирующего слоя LiF на традиционный органический слой переноса дырок значительно улучшена смачиваемость слоя переноса дырок. Оптические тесты показали, что качество перовскитной пленки, приготовленной на нем, улучшилось, а содержание низкоразмерного перовскита снизилось. В то же время, благодаря изолирующим свойствам LiF, уменьшился ввод дырочных зарядов, что обеспечило более сбалансированный ввод носителей. В итоге максимальная внешняя квантовая эффективность перовскитных электролюминесцентных устройств повысилась с 11.9% до 17.1%, что составляет улучшение примерно на 44%.

Перовскитные светодиоды;Модификация интерфейса;Фторид лития;Смачиваемость поверхности