Допирование металлами типа B обладает потенциалом подавления точечных дефектов и дефектов границ кристаллов в свинцовых галогенидных перовскитах, однако разница в ионных радиусах между допирующими и исходными ионами вызывает значительные локальные напряжения, что серьезно ограничивает размер зерен в пленке. В данной работе введен FA в Co-допированный MAPbI₃ для релаксации локальных напряжений и повышения качества пленок MAPbI₃. Экспериментальные и теоретические исследования показывают, что допирование Co вызывает значительное локальное растяжение, тогда как допирование FA эффективно расслабляет это напряжение. Дополнительные исследования показали, что введение FA одновременно снижает дефекты границ кристаллов в Co-допированной пленке MAPbI₃ и регулирует уровень Ферми, эффективно подавляя безызлучательную рекомбинацию и улучшая перенос носителей на интерфейсе MAPbI₃/ITO. Основываясь на этих результатах, был изготовлен эффективный фотодетектор без транспортного слоя на основе MAPbI₃/ITO с чувствительностью и внешней квантовой эффективностью (EQE) при нулевом смещении 0,094 А/Вт и 28% соответственно. Данные результаты предоставляют эффективный путь для создания высокоэффективных безтранспортных перовскитных фотодетекторов.

Допирование Co; совместное допирование Co-FA; релаксация напряжений; высокоэффективное фотодетектирование; MAPbI₃/ITO