Эрбиевый волоконный усилитель (EDFA) является ключевым элементом оптических сетей с высокой пропускной способностью, требующим мощного одномодового полупроводникового лазера для накачки и усиления оптического сигнала. В данной работе разработан мощный одномодовый полупроводниковый лазерный чип на длине волны 976 нм с асимметричной структурой Брегговского отражательного волновода, обеспечивающей крайне низкий угол расходимости близкого к круговому пучка. Максимальная непрерывная выходная мощность изготовленного лазера превышает 1,5 Вт (ограничена тепловым насыщением), при токе 1,2 А достигнута безискривленная мощность 0,83 Вт, при этом вертикальный и боковой углы расходимости на уровне 95% мощности составляют 13,70° и 10,95° соответственно. Пиковая длина волны лазера 976,16 нм, ширина спектра при -3 дБ всего 0,11 нм, коэффициент подавления боковых мод 40 дБ. Распределение дальнего поля лазера слабо зависит от температуры теплоотвода и рабочего тока, угол вертикальной расходимости при 95% мощности остается ниже 16° даже при тепловом насыщении. Данный лазерный чип позволяет эффективно осуществлять одномодовую волоконную стыковку, что способствует развитию недорогих мощных одномодовых EDFA насосных модулей.

Брегговский отражательный волновод; одномодовый полупроводниковый лазер; высокая мощность; низкий угол дальнего поля; волоконное сопряжение