По мере развития интеллектуальных оптоэлектронных систем в направлении мультиспектральности, энергоэффективности, миниатюризации и многофункциональности, ограниченный спектральный диапазон традиционных оптоэлектронных детекторов не может удовлетворить требования к передовым методам восприятия. Разработка высокоэффективных широкоспектральных детекторов стала важной задачей. Для преодоления этого ограничения в данном исследовании был разработан и изготовлен новый широкоспектральный фотодетектор на основе сэндвичного строения β-Ga₂O₃/Au/MAPbI₃. Устройство использует золото в качестве промежуточного электрода, а β-Ga₂O₃ и MAPbI₃ в качестве верхнего и нижнего поглощающих слоев соответственно, образуя трехслойный гетероструктурный сэндвич, который обеспечивает эффективное широкоспектральное обнаружение от ультрафиолетового до ближнего инфракрасного спектра (200–800 нм). При смещении 6 В пиковая чувствительность устройства при 240 нм и 750 нм достигает 0,050 A W^-1 и 0,059 A W^-1 соответственно, одновременно демонстрируя быстрый отклик с временем в микросекундах. Кроме того, уникальная сэндвичная структура придает устройству возможность самоуправляемого широкоспектрального обнаружения, что предоставляет эффективное решение для развития высокопроизводительных, энергосберегающих фотодетекторов следующего поколения.

Фотодетектор;Сэндвичная структура;Широкоспектральное обнаружение