Полупроводниковые лазеры с краевым излучением высокой яркости обладают высокой электрооптической эффективностью, высоким качеством луча и высокой пиковой мощностью, и широко применяются в материалах, медицинской сфере и лазерном радарах. Однако достижение краевого лазера с одновременным высоким выходным мощностью и высоким качеством луча остается проблемой, которая стала центром исследований высокоярких краевых полупроводниковых лазеров. Во-первых, подведены итоги последних исследований как в стране, так и за рубежом, касающихся высокомощных краевых лазеров с высоким качеством луча, а также методов управления боковыми модами лазера и оптимизации угла расходимости вертикального дальнего поля. Во-вторых, представлена импульсная технология управления, способствующая снижению тепловых накоплений в активной области с целью получения высокой пиковой мощности и достижения высокого яркостного выхода. Многозонный туннельный лазер при пиковой мощности 100 Вт может достичь яркости 300 МВт·см^-2·ср^-1, а высокояркий вертикальный широкозонный краевой лазер (HiBBEE) способен уменьшить угол расходимости вертикального дальнего поля, что улучшает эффективность оптической системы и снижает стоимость коллимирующих и фокусирующих линз. Наконец, с учетом развития технологий управления и требований будущего, сделан обзор перспектив создания высокопроизводительных полупроводниковых лазеров с импульсным управлением и высокой яркостью.

полупроводниковый лазер; высокая мощность; высокое качество луча; высокая яркость; импульсное управление