Полупроводниковые лазеры высокой мощности, будучи основным насосным источником для твердотельных и волоконных лазерных систем, имеют важное значение в областях промышленной обработки и обороны. В данной статье представлен насосный лазер, предназначенный для удовлетворения требований среднеинфракрасных волоконных лазерных систем. В качестве источника насоса для волоконного лазера устройство должно обладать высокой выходной мощностью, высокой эффективностью, а также хорошим сроком службы и надежностью. В работе использованы квантовые ямы InGaAs/GaAsP высокого порядка для повышения способности удержания носителей, спроектирована несимметричная волноводная структура и применена градиентная технология легирования для уменьшения потерь поглощения носителей и последовательного сопротивления. В итоге изготовленный лазер с шириной гребня 200 μм достиг выходной мощности 16.12 Вт, максимальная КПД составила 53 %; модуль лазера из 10 одиночных каналов, связанный с оптоволокном диаметром 105 μм и NA 0.18, обеспечил максимальную выходную мощность 113 Вт. Результаты тестирования показали высокую стабилность по мощности и температуре, что повысило надежность лазера.

полупроводниковый лазер;высокая мощность;коэффициент преобразования;надежность